Перейти до основного вмісту
  • [email protected]
  • 58029, Україна, м. Чернівці, вул. Сторожинецька, 101, блок А, 2 поверх

Посібники та методичики:

  1. Промислова електроніка : навчальний посібник. Ч. 1 / укл.: Андрущак Г. О., Козярський І. П., Майструк Е. В. Чернівці : Рута, 2021. 120 с.
  2. Основи субмікронної та нанотехнології: навчальний посібник. Ч. 1 /укл.: Стребежев В.М., Юрійчук І.М. Чернівці: Чернівецький нац. ун-т. 2021. 120 с.
  3. Програмування мовою Libre Basic для технічних спеціальностей: навч. посібник / С. М. Чупира, І. М. Юрійчук. Чернівці : Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича, 2021. 96 с.
  4. Тонкоплівкова електроніка: навчальний посібник. / укл.: Солован М.М., Мостовий А.І. Чернівці: Рута, 2021. 128 с.
  5. Електричні машини: навчальний посібник. / укл.: Майструк Е. В. Чернівці : Технодрук, 2021. 196 с.
  6. Промислова електроніка : навчальний посібник. Ч. 2 / укл.: Андрущак Г. О., Козярський І. П., Майструк Е. В. Чернівці : Рута, 2021. 140 с.
  7. Фізико-хімічні основи напівпровідникового матеріалознавства: навчальний посібник / укл.: Майструк Е. В., Козярський І. П., Козярський Д. П., Мар’янчук П. Д. Чернівці : Рута, 2020. 120 с.
  8. М.М. Сльотов, О.М. Сльотов Люмінесценція у приладах і системах оптоелектроніки : підручник. – Чернівці: Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича, 2019. – 136 с.
  9. Прилади твердотільної електроніки / Укл.: П.Д. Мар’янчук, М.М. Солован — Чернівці : Чернівецький нац. ун-т, 2019. – 220 с.
  10. Основи релейного захисту та автоматизації енергосистем: навчальний посібник. Ч. 2 / укл.: Козярський Д. П., Майструк Е. В., Козярський І. П.. Чернівці : Рута, 2019. 133 с.
  11. Солован, А.І. Мостовий Тонкоплівкова електроніка (Мето-дичні рекомендації до лабораторних робіт), Чернівці, 2019, 64 с.
  12. Персональні комп’ютери : методичні рекомендації до лабораторних робіт Ч. 1 / О.М. Сльотов, С.М. Чупира – Чернівці: Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича, 2019. – 64 с.
  13. Фізика сонячних елементів : лабораторний практикум / укл. : М.І. Ілащук, О.М. Сльотов – Чернівці : Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича, 2019. – 70 с.
  14. Прилади твердотільної електроніки / Укл.: П.Д. Мар’янчук, М.М. Солован — Чернівці : Чернівецький нац. ун-т, 2018. – 220 с.
  15. Матеріали для світлотехніки й оптоелектроніки та методи дослідження їх властивостей: навч. посібник / уклад.: О. А. Парфенюк. Чернівці : Чернівець. нац. ун-т, 2016  - 104 с.
  16. Електронні процеси в напівпровідниках / Укл.: П.Д. Мар’янчук, І.П. Козярський — Чернівці, 2016. – 132 с.
  17. Основи вакуумної і кріогенної техніки / Укл.: П.Д. Мар’янчук, Л.М. Димко // Методичні рекомендації до лабораторних робіт – Чернівці: Рута, 2016.
  18. Конструювання та технологія виготовлення сонячних елементів: Навчальний посібник/ І.Г. Орлецький – Чернівці: Чернівецький нац. ун-т, 2017. – 183 с.
  19. П.Д. Мар’янчук, Л.М. Димко Основи вакуумної та кріогенної техніки: Методичні рекомендації до лабораторних робіт – Чернівці: Чернівецький нац. ун-т, 2017. – 68 с.

 

Монографії:

  1. П.Д. Мар’янчук,В.В. Брус, Тонкі плівки оксидів металів та гетеропереходи на їх основі, Родовід, Чернівці, 2014. – 292 с.
    2. П.Д. Мар’янчук,Е.В. Майструк, Напівмагнітні напівпровідники на основі халькогенідів ртуті, Родовід, Чернівці, 2014. – 272 с.
    3. П.Д. Мар’янчук, Д.П. Козярський, І.П. Козярський, Е.В. Майструк, Звичайні та напівмагнітні дефектні халькогенідні напівпровідники, / – Чернівці: Рута, 2017. – 220 с.
    4. П.Д. Мар’янчук, А.І. Мостовий, М.М. Солован, В.В. Брус, Гетероструктури на основі тонких плівок оксидів металів з домішками 3d-елементів (Монографія), Чернівці, 2018. – 152 с.
    5. Мар’янчук П.Д., Солован М.М., Брус В.В., Тонкі плівки нітриду титану та гетеропереходи на їх основі (Монографія), Чернівці: Чернів. нац. ун-т, 2018. – 152 с.
    6. Koziarskyi I. P., Maistruk E. V., Koziarskyi D. P., Mostovyi A. I., Sydor O. M. , Potsiluiko-Hryhoriak H. V. Electrical Properties of Heterojunction n-MoOx/p-Cd3In2Te6. Microstructure and Properties of Micro- and Nanoscale Materials, Films, and Coatings (NAP 2019) / In: Pogrebnjak A. D., Bondar O. (eds.). Springer Proceedings in Physics, Vol. 240. Springer Singapore, 2020. pp. 9–17.
    7. Ilashchuk M. I., Orletskyi I. G., Koziarskyi I. P., Koziarskyi D. P., Solovan M. N., Maistruk E. V., Parfenyuk O. A. Influence of titanium nitride thin films on the electrical properties of isotype n-TiN/n-Si heterostructures. Nanooptics and Photonics, Nanochemistry and Nanobiotechnology, and Their Applications. 2022. ISBN: 978-3-031-18095-8

Статті:
1. Maryanchuk P.D., Maistruk E.V., Giant magnetoresistance in Hg1-x-yMnxFeyTe crystals, Russian Physics Journal 50 (2007) 985-992. (IF = 0.408)
2. Maryanchuk P.D., Maistruk E.V., Effect of heat treatment in sulfur and mercury vapors on the magnetic susceptibility of Hg1-xMnxTe1-ySy crystals, Inorganic materials, 44 (2008) 475-480. (IF = 0.376)
3. Zayachuk D.M., Mikityuk V.I., Frasunyak V.M., Shlemkevych V.V., High temperature transformation in the defects and impurities system of PbTe:Eu crystals, Journal of Crystal Growth, 311 (2009) 4670-4674. (IF = 1.552)
4. Brus V.V., Ilashchuk M.I., Kovalyuk Z.D., Maryanchuk P.D. and Ulyanytky K.S., Electrical and photoelectrical properties of photosensitive heterojunctions n-TiO2/p-CdTe, Semicond. Sci. Technol. 26 (2011) 125006. (IF = 1.921)
5. Kovalyuk T.T., Maistruk E.V., Maryanchuk P.D., Magnetic, optical and kinetic properties of Hg1-х-уMnхDyуTe, Inorganic Materials 49 (2013) 468–472. (IF = 0.376)
6. Shtepliuk I., Lashkarev G., Khomyak V., Lytvyn O., Marianchuk P., Timofeeva I., Ievtushenko A., Lazorenko V., Features of the influence of the deposition power and Ar/O2 gas ratio on the microstructure and optical properties of the Zn0.9Cd0.1O films, Thin Solid Films 520 (2012) 4772–4777. (IF = 1.604)
7. Brus V.V., On quantum efficiency of nonideal solar cells, Solar Energy 86 (2012) 786-791. (IF = 2.952)
8. Brus V.V., On impedance spectroscopy analysis of nonideal heterojunctions, Semicond. Sci. Thecnol. 27 (2012) 035024. (IF = 1.921)
9. Brus V.V., Open-circuit analysis of thin film heterojunction solar cells, Solar Energy 86 (2012) 1600-1604. (IF = 2.952)
10. Brus V.V., Pidkamin L.J., Abashin S.L., Kovalyuk Z.D., Maryanchuk P.D., Chugai O.M., Optical constants and polarimetric properties of TiO2-MnO2 thin films, Optical Materials 34 (2012) 1940-1945. (IF = 1.918)
11. Solovan M.N., Brus V.V., Maryanchuk P.D., Kovalyuk T.T., Rappich J. and Gluba M., Kinetic properties of the TiN thin films obtained by reactive magnetron sputtering, Physics of the Solid State 55 (2013) 2234–2238. (IF= 0.769)
12. Brus V.V., Ilashchuk M.I., Kovalyuk Z.D., Maryanchuk P.D., Parfenyuk O.A., Surface-barrier heterojunctions TiO2/CdZnTe, Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 015014. (IF = 1.921)
13. Mostovyi A.I., Brus V.V., Maryanchuk P.D. Charge transport mechanisms in anisotype n-TiO2/p-Si heterostructures, Semiconductors 47 (2013) 788-792. (IF=0.6)
14. Brus V.V., Zellmeier M., Zhang X., Greil S.M., Gluba M., Töfflinger A.J., Rappich J., Nickel N.H., Electrical and photoelectrical properties of P3HT/n-Si hybrid organic-inorganic heterojunction solar cells, Organic Electronics 14 (2013) 3109–3116. (IF = 3.836).
15. V.V. Brus, M.A. Gluba, X. Zhang, K. Hinrichs, J. Rappich, N.H. Nickel, Temperature and light dependent electrical properties of Graphene/n-Si-CH3-terminated solar cells, Solar Energy 107 (2014) 74-81. (IF = 3.541)
16. M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, N. Nickel, S.L. Abashin, Fabrication and characterization of anisotype heterojunctions n-TiN/p-CdTe, Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 015007. (IF = 2.207)
17. R. Yatskiv, J. Grym, V.V. Brus, O. Cernohorsky, P.D. Maryanchuk, C. Bazioti, G. P. Dimitrakopulos, Ph. Komninou, Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles, Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 045017. (IF = 2.207)
18. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Photosensitive Shottky-type heterojunctions prepared by the drawing of graphite films, Appl. Phys. Lett. 104 (2014) 173501. (IF = 3.515)
19. M.N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, I.M. Fodchuk, V.M. Lorents, A.M. Sletov, M.M. Sletov, M. Gluba, Structural and рhotoluminescent properties of TiN thin films, Optics and Spectroscopy 117 (2014) 753–755 (IF = 0.673)
20. V.V. Brus, Aung Ko Ko Kyaw, P.D. Maryanchuk, Jie Zhang, Temperature and light dependent diode current in high-efficiency solution-processed small-molecule solar cells, Organic Electronics 15 (2014) 2141-2147. (IF = 3.676)
21. R. Yatskiv, V.V. Brus, M. Verde, J. Grym, P. Gladkov, Electrical and optical properties of graphite/ZnO nanorods heterojunctions, Carbon 77 (2014) 1011–1019. (IF = 6.16)
22. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Graphite trace on water surface: a step toward the low-cost pencil-on-semiconductor electronics and optoelectronics, Carbon 78 (2014) 613–616. (IF = 6.16)
23. A.I. Mostoviy, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Mechanisms of current transport in the heterojunctions based on TiO2:Cr2O3 thin films, Semiconductors 48 (2014) 1174-1177. (IF = 0.705)
24. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, I.S. Babichuk, Z.D. Kovalyuk, Graphitic carbon/n-CdTe Schottky-type heterojunction solar cells prepared by electron-beam evaporation, Solar Energy 112 (2015) 78-84. (IF = 3.469)
25. О.Г. Грушка, А.И. Савчук, С.Н. Чупыра, С.В. Биличук,Поведение примеси железа в кристаллах Hg3In2Te6, ФТП49 (2015) 913-915 (IF = 0.603)
26. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Z.D. Kovalyuk S.L. Abashyn, 2D nanocomposite photoconductive sensors fully dry drawn on regular paper, Nanotechnology 26 (2015) 255501. (IF = 3.84)
27. V.V. Brus, Aung Ko Ko Kyaw, P.D. Maryanchuk, Jie Zhang, Quantifying bulk and interface defect states in high-efficiency solution-processed small molecule solar cells from impedance and capacitance characteristics, Progress in Photovoltaics: Research and Applications23 (2015) 1526–1535. (IF = 9.696)
28. V.Khomyak, I.Shtepliuk, V. Khranovskyy and R. Yakimova, Band-gap engineering of ZnO1-хSх films grown by rf magnetron sputtering of ZnS target, Vacuum 121 (2015) 120-124. (IF =1.86).
29. M.N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk,Z.D. Kovalyuk, Temperature dependent electrical properties and barrier parameters of photosensitive heterojunctions n-TіN/p-Cd1−xZnxTe, Semiconductor Science and Technology 30 (2015) 075006. (IF = 2.19)
30. И.Г. Орлецкий, П.Д. Марьянчук, Э.В. Майструк,М.Н. Солован, В.В. Брус,Низкотемпературный спрей-пиролиз пленок FeS2, их электрические и оптические свойствах, ФТT 58(1) (2016) 39-43 (IF = 0.82)
31. И.Г. Орлецкий, М.И. Илащук, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, М.Н. Солован, З.Д. Ковалюк, Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/p-InSe, ФТП 50(3) (2016) 339-343. (IF = 0.705)
32. M.M. Solovan, V.V. Brus, A.I. Mostovyi, P.D. Maryanchuk, E. Tresso, N.M. Gavaleshko, Molybdenum oxide thin films in CdTe-based electronic and optoelectronic devices, Phys. Status Solidi RRL, 1–4 (2016) / DOI 10.1002/pssr.201600010 (IF = 2.142)
33. Orletskii, I. G., Mar’yanchuk, P. D., Solovan, M. N., Maistruk, E. V., Kozyarskii, D. P. Peculiarities in electrical and optical properties of Cu2Zn1–x Mnx SnS4 films obtained by spray pyrolysis. Technical Physics Letters, (2016). 42(3), 291-294. IF (Scopus) =0.671 , SNIP=0.984
34. V.V. Brus, I.S. Babichuk, I.G. Orletskyi, P.D. Maryanchuk, V.O. Yukhymchuk, V.M. Dzhagan, I.B. Yanchuk, M.M. Solovan, I.V. Babichuk, Raman spectroscopy of Cu-Sn-S ternary compound thin films prepared by the low-cost spray-pyrolysis technique // Applied Optics – V.55, №12 – 2016. – Р.B158 ¬– B162. IF (Scopus) =1.463, SNIP=1.147
35. Orletskii, I. G., Mar’yanchuk, P. D., Solovan, M. N., Brus, V. V., Maistruk, E. V., Kozyarskii, D. P., Abashin, S. L. Optical properties and mechanisms of current flow in Cu2ZnSnS4 films prepared by spray pyrolysis. Physics of the Solid State, (2016). 58(5), 1058-1064. IF (Scopus) =0.731 , SNIP=0.833
36. Kovalyuk, T. T., Maistruk, E. V., Maryanchuk, P. D. Magnetic, optical, and kinetic properties of Hg1− x− y Cdx Gdy Se crystals. Inorganic Materials, (2016). 52(5), 447-451. IF (Scopus) =0.494, SNIP=0.628
37. Orletskii, I. G., Maryanchuk, P. D., Maistruk, E. V., Solovan, M. N., Koziarskyi, D. P., Brus, V. V. Modification of the properties of tin sulfide films grown by spray pyrolysis. Inorganic Materials, (2016). 52(8), 851-857. IF (Scopus) =0.494, SNIP=0.628
38. Solovan, M. N., Mostovyi, A. I., Brus, V. V., Maistruk, E. V., Maryanchuk, P. D. (2016). Electrical and photoelectric properties of n-TiN/p-Hg3In2Te6 heterostructures. Semiconductors, (2016). 50(8), 1020-1024. IF (Scopus) =0.783 , SNIP= 1.004
39. Solovan, M. M., Gavaleshko, N. M., Brus, V. V., Mostovyi, A. I., Maryanchuk, P. D., Tresso, E. Fabrication and investigation of photosensitive MoOx/n-CdTe heterojunctions. Semiconductor Science and Technology, (2016). 31(10), 105006. IF (Scopus) =1.462 , SNIP= 0.894
40. Brus V. V. Light dependent open-circuit voltage of organic bulk heterojunction solar cells in the presence of surface recombination. Organic Electronics, 2016, 29: 1-6. IF (Scopus) =3.471 , SNIP=1.088
41. L. A. Kosyachenko, V. Yu. Lytvynenko, O. L. Maslyanchuk. Quantitative analysis of optical and recombination losses in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Semiconductors, 50 (4) 508-516 (2016). IF = 0.701
42. Maslyanchuk O., Kulchynsky V., Solovan M., Gnatyuk V., Potiriadis C., Kaissas I., Brus V. Diodes based on semi-insulating CdTe crystals with Mo/MoOx contacts for X- and γ-ray detectors. Phys. Status Solidi C. 1–4 (2016). (IF = 0.83)
43. Solovan M. N., Mostovyi A. I., Brus V. V., Ilashchuk M. I., Maryanchuk P. D. Effect of surface treatment on the quality of ohmic contacts to single-crystal p-CdTe. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, (2017).11(1), 276-279.IF =0.359
44. G. Orletskyi, M.M. Solovan, V.V. Brus, Federico Pinna, Giancarlo Cicero, P.D. Maryanchuk, E.V. Maistruk, M.I. Ilashchuk, T.I. Boichuk, E. Tresso. Structural, optical and electrical properties of Cu2ZnSnS4 films prepared from a non-toxic DMSO-based sol-gel and synthesized in low vacuum. // Journal of Physics and Chemistry of Solids,(2017). 100, pp. 154-160.IF = 2.048
45. Parkhomenko H. P., Solovan M. N., Mostovyi A. I., Ulyanytsky K. S., Maryanchuk P. D. Temperature dependences of the electrical parameters of anisotype NiO/CdTe heterojunctions. // Semiconductors,(2017). 51(3), 344-348.IF =0.705
46. L. Maslyanchuk, M. M. Solovan, V. V. Brus, V. V. Kulchynsky,P. D. Maryanchuk, I. M. Fodchuk, V. A. Gnatyuk, T. Aoki, C. Potiriadis, Y. KaissasCapabilities of CdTe-based Detectors with MoOx Contacts for Detection of X-and γ-radiation // IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017., 64(5)., pp. 1168-1172.
47. M. Solovan, V. V. Brus, A. I. Mostovyi, P. D. Maryanchuk, I. G. Orletskyi, T. T. Kovaliuk, S. L. Abashin,Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics // Semiconductors,2017., 51(4)., pp.542–548.
48. G. Orletskii, M. N. Solovan, F. Pinna, G. Cicero, P. D. Mar’yanchuk, E. V. Maistruk, E. TressoStructural, optical, and electrical properties of Cu2SnS3 thin films produced by sol gel method // Phys. Solid State., 2017., 59(4)., pp. 801-807.
49. G. Orletskyi, M. M. Solovan, V. V. Brus, F. Pinna, G. Cicero, P. D. Maryanchuk, E.V. Maistruk, M. I. Ilashchuk, T. I. Boichuk, E. Tresso. Structural, optical and electrical properties of Cu2ZnSnS4 films prepared from a non-toxic DMSO-based sol-gel and synthesized in low vacuum // Journal of Physics and Chemistry of Solids – 2017. – V. 100. – P.154–160. IF (Scopus) = 2.059 , SNIP = 0.943
50. N. Solovan, A.I. Mostovyi, V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, P.D. Maryanchuk, Effect of surface treatment on the quality of ohmic contacts to single-crystal p-CdTe, Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques 11(1) (2017) 276-279. IF (Scopus) =0,46, SNIP=0,603
51. P. Parkhomenko, M.M. Solovan, P.D. Maryanchuk, Influence of surface processing si on the electrical properties of heterostructures p-NiO/n-Si. J Nano Electron Phys 2017;9(3): 03024. IF (Scopus) =0,5, SNIP=0,513
52. G. Orletskii, M.N. Solovan, F. Pinna, G. Cicero, P.D. Mar’yanchuk, E.V. Maistruk, E. Tresso, Structural, optical, and electrical properties of Cu2SnS3 thin films produced by sol gel method, Physics of the Solid State. 59(4), 2017, 801–807. IF (Scopus) = 0.860, SNIP =0.840
53. P. Parkhomenko, M.N. Solovan, A.I. Mostovoi, I.G. Orletskii, O.A. Parfenyuk, P.D. Maryanchuk, Optical and electrical properties of thin NiO films deposited by reactive magnetron sputtering and spray pyrolysis, Optics and Spectroscopy 122(6) (2017) 944-948. IF (Scopus) =0,66, SNIP=0,659
54. V. Maistruk, P.D. Mar’yanchuk, M.N. Solovan, F. Pinna, E.Tresso, Optical properties of thin Cu2ZnSnS4, films produced by RF magnetron sputtering. Opt Spectrosc 2017;123(1):38-43. IF (Scopus) = 0.716, SNIP= 0,659
Solovan M. N. Graphite/p-SiC schottky diodes prepared by transferring drawn graphite films onto SiC. / M. N. Solovan, 55. G. O. Andrushchak, A. I. Mostovyi, T. T. Kovaliuk, V. V. Brus, D. Maryanchuk. // Semiconductors . – 2018. – Vol. 52. – No. 2. – PP. 236-241. IF (Scopus) =0,69, SNIP=0,822
56. Orletskyi I. G. Electrical Properties and Energy Parameters of n-FeS2/p-Cd1–xZnxTe Heterojunctions. / I. G. Orletskyi, M. I. Ilashchuk, M. N. Solovan, D. Maryanchuk, O. A. Parfenyuk, E. V. Maistruk, S. V. Nichyi // Semiconductors. – 2018. –Vol. 52. –PP. 1171–1177. IF (Scopus) =0,69, SNIP=0,822
57. Parkhomenko Hryhorii Structural, electrical and photoelectric properties of p-NiO/n-CdTe heterostructures / Hryhorii Parkhomenko, Mykhaylo Solovan, Viktor Brus, Eduard Maystruk, Pavlo Maryanchuk // Optical Engineering. – 2018.- Vol. 57. – No. 1. – 017116.
58. Parkhomenko H. P. Electrical Properties of p-NiO/n-Si Heterostructures Based on Nanostructured Silicon / H. P. Parkhomenko, M. N. Solovan, D. Maryanchuk // Semiconductors. – 2018. – Vol. 52. – No. 7. – pp. 859-863. IF (Scopus) =0,69, SNIP=0,822
59. Solovan M. M. Heterojunction photodiode on cleaved SiC. / M. M. Solovan , J. Farah, T. T. Kovaliuk , V. V. Brus, A. I. Mostovyi , E. V. Maistruk , D. Maryanchuk // Proc. SPIE. – 2018. – 10612. – 106120K-1 (IF = 0.5)
Kovaliuk T. T. Influence of technological conditions on optical and structural properties of molybdenum oxide thin films, / T. T. Kovaliuk , M. M. Solovan , O. A. Parfenyuk , V. V. Brus, I. P. Koziarskyi , D. Maryanchuk // Proc. SPIE. – 2018. – 10612. – 1061210 (IF = 0.5)
60. I. Mostovyi, M. M. Solovan , V. V. Brus, T. Pullerits , P. D. Maryanchuk, Physical properties of the heterojunction МоОх/n-CdTe as a function of the parameters of CdTe crystals, / A. I. Mostovyi, M. M. Solovan , V. V. Brus, T. Pullerits , P. D. Maryanchuk // Proc. SPIE. – 2018. – 10612. – 106120Q. (IF = 0.5)
61. Ushenko Yu.A. Optical constants and polarimetric properties of AlN thin films, / Yu.A. Ushenko, D. Maryanchuk, M.M. Solovan, L.J. Pidkamin, V.V. Brus // Proc. SPIE. – 2018. – 10612. – 106121A. (IF = 0.5)
62. Tkachuk, I. G. Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS2/p-InSe. / I. G. Tkachuk, I. G. Orletsky, Z. D. Kovalyuk, D. Marianchuk // Functional Materials, – 2018. – Vol. 25. – No.3. – PP. 463-470.
63. Babichuk, I. S., Golovynskyi, S., Brus, V. V., Babichuk, I. V., Datsenko, O., Li, J., . . . Maryanchuk, P. D. (2018). Secondary phases in Cu2ZnSnS4 films obtained by spray pyrolysis at different substrate temperatures and cu contents. Materials Letters, –2018. – 216. – с. 173-175.
64. Orletskii, I. G., Mar’yanchuk, P. D., Solovan, M. N., Maistruk, E. V., & Kozyarskii, D. P. (2018). Electrical and optical properties of Cu2Zn(fe,mn)SnS4 films prepared by spray pyrolysis. Technical Physics, 63(2), 243-249.
65. Koziarskyi, I. P., Maistruk, E. V., Koziarskyi, D. P., & Maryanchuk, P. D. Electric properties of thin films Cu2ZnSnSe4 and Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) obtained by thermal vacuum deposition. Journal of Nano- and Electronic Physics, – 2018. – 10(1).
66. Koziarskyi, I. P., Maistruk, E. V., Koziarskyi, D. P., & Maryanchuk, P. D. The influence of selenium on the optical properties of thin films KZTS. Paper presented at the Proceedings of SPIE – the International Society for Optical Engineering. – 2018. – Vol. 10612. (IF = 0.5)
67. Maistruk, E. V., Koziarskyi, I. P., Koziarskyi, D. P., Marianchuk, P. D., & Brus, V. V. Structure and optical properties of thin films CZTS obtained by the RF magnetron sputtering. Paper presented at the Proceedings of SPIE – the International Society for Optical Engineering. – 2018. – Vol. 10612. (IF = 0.5)
68. Maslyanchuk, O. L., Solovan, M. M., Maistruk, E. V., Brus, V. V., Maryanchuk, P. D., Gnatyuk, V. A., & Aoki, T. Prospects of In/CdTe X- and γ-ray detectors with MoO ohmic contacts. Paper presented at the Proceedings of SPIE – the International Society for Optical Engineering. – 2018. – Vol. 10612. (IF = 0.5)
69. Orletskyi, I. G., Solovan, M. M., Maryanchuk, P. D., Maistruk, E. V., Pinna, F., Tresso, E., & Brus, V. V. Optical properties of spin-coated SnS2 thin films. Paper presented at the Proceedings of SPIE – the International Society for Optical Engineering. – 2018. – Vol. 10612. (IF = 0.5)
70. Brus, V. V., Gluba, M., Rappich, J., Lang, F., Maryanchuk, P. D., & Nickel, N. H. Fine art of thermoelectricity. ACS Applied Materials and Interfaces, – 2018. – 10(5). – р. 4737-4742.
71. Козярский, И. П., Маслюк, В. Т., Марьянчук, П. Д., Майструк, Э. В., Козярский, Д. П., Мегела, И. Г., & Лашкарев, Г. В. Устойчивость к облучению (HgSe)3(In2Se3). Известия высших учебных заведений. Физика, – 2018. – 61(7). – с. 3-7. IF=0,555
72. Solovan M.M. The effect of surface treatment of silicon on the electrical and photoelectric properties of nanostructured MoOx/n-Si heterojunctions / M.M. Solovan, T.T. Kovaliuk, P.D. Maryanchuk // East European Journal of Physics. – 2019. – Vol. 2 – P. 33-38.
73. Солован М.М. Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика і електроніка.– 2019. – Vol. 24(2), – P. 42–56.
74. Солован М.М. Вплив наноструктуризації кремнію на електричні і фотоелектричні властивості діодів Шотткі Ni/n-Si / М.М. Солован, А.І. Мостовий, В.В. Брус, П.Д. Мар’янчук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2019. – Том.17(3). – pp. 491-506 .
75. Солован М. М. Детектори ультрафiолетового випромiнювання графiт/n-SiC, отриманi методом електронно-променевого випаровування / М. М.Солован, Г. П. Пархоменко, П. Д. Мар’янчук // Journal of Physical Studies. – 2019. – Vol. 23(4). – 4801(6 p.).
76. Orletskyi I.G. Effect of fabrication conditions on charge transport and photo-response of n-ITO/p-Cd1-xZnxTe heterojunctions / G.Orletskyi, M.I.Ilashchuk, M.M. Solovan, P. D. Maryanchuk, E.V. Maistruk,  G. O. Andrushchak. Materials Research Express. – 2019. – Vol. 6. – No. 8. –086219
77. Brus V.V. Graphene/semi-insulating single crystal CdTe Schottky-type heterojunction X- and γ-Ray Radiation Detectors / V.V. Brus, O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, P. D. Maryanchuk, I.Fodchuk, V.A. Gnatyuk, N.D. Vakhnyak, S.V. Melnychuk, T. Aoki // Scientific Reports. – 2019. –Vol. 9. –  1065.
78. Brus, V. V., Ilashchuk, M. I., Orletskyi, I. G., Solovan, M. M., Parkhomenko, G. P., Babichuk, I. S., Maryanchuk, P. D. (2020). Coupling between structural properties and charge transport in nano-crystalline and amorphous graphitic carbon films, deposited by electron-beam evaporation. Nanotechnology, 31(50)
79. Mostovyi, A. I., Solovan, M. M., & Maryanchuk, P. D. (2020). Physical properties of W2N thin films deposited by reactive magnetron sputtering. Paper presented at the Proceedings of SPIE – the International Society for Optical Engineering, 11369
80. Kovaliuk, T. T., Solovan, M. M., Parfenyuk, O. A., Koziarskyi, I. P., & Maryanchuk, P. D. (2020). Physical properties of CrxN thin films. Paper presented at the Proceedings of SPIE – the International Society for Optical Engineering, , 11369
81. Orletskyi, I. G., Maistruk, E. V., Solovan, M. M., Koziarskyi, I. P., Koziarskyi, D. P., & Maryanchuk, P. D. (2020). Optical properties and kinetic parameters in Cu2FeSnS4 thin films prepared by spray pyrolysis. Paper presented at the Proceedings of SPIE – the International Society for Optical Engineering, , 11369
82. Koziarskyi, I. P., Maistruk, E. V., Orletsky, I. G., Ilashchuk, M. I., Koziarskyi, D. P., Marianchuk, P. D., M.M. Solovan, Ulyanytsky, K. S. (2020). Influence of properties of hematite films on electrical characteristics of isotype heterojunctions Fe2O3/n-CdTe. Semiconductor Science and Technology, 35(2)
83. Maistruk, E. V., Ilashchuk, M. I., Orletsky, I. G., Koziarskyi, I. P., Koziarskyi, D. P., Marianchuk, P. D., O.A. Parfenyuk,  Ulyanytskiy, K. S. (2020). Influence of the base material on the interface properties of ZnO: Al/n-CdS/p-Cd1− xZnxTe heterojunctions. Engineering Research Express, 2(3), 035037.
84. Gnatyuk, V., Maslyanchuk, O., Solovan, M., Brus, V., & Aoki, T. (2021). Cdte x/γ-ray detectors with different contact materials. Sensors, 21(10)
85. Maslyanchuk, O., Solovan, M., Brus, V., Maryanchuk, P., Maistruk, E., Fodchuk, I., & Gnatyuk, V. (2021). Charge transport features of CdTe-based X- and γ-ray detectors with ti and TiOx schottky contacts. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 988
86. Solovan, M. M., Mostovyi, A. I., Parkhomenko, H. P., Brus, V. V., & Maryanchuk, P. D. (2021). Electrical and photoelectric properties of heterojunctions moox/n-cd1-xznxte. East European Journal of Physics, 2021(1), 34-42.
87. Solovan, M. M., Parkhomenko, H. P., Brus, V. V., Mostovyi, A. I., & Maryanchuk, P. D. (2021). Influence of the NaCl dielectric layer on the electrical properties of Graphite/n-Cd1–xZnxTe schottky diodes fabricated by transferring drawn graphite.  Journal of Nano- and Electronic Physics, 13(4), 1-4.
88. Solovan, M. M., Parkhomenko, H. P., & Marianchuk, P. D. (2021). The effect of silicon surface treatment on the electrical properties of n-MoN/n-si heterojunctions. Journal of Physical Studies, 25(1), 1-6.
89. Maistruk, E. V., Ilashchuk, M. I., Orletskyi, I. G., Koziarskyi, I. P., Marianchuk, P. D., Parkhomenko, H. P., Koziarskyi, D.P., Nichyi, S. V. (2021). Electric and photoelectric properties of vacuum-deposited ZnO:Al/CdS/p-Cd1−xZnxTe heterojunctions. Optik, 241
90. Orletsky, I. G., Ilashchuk, M. I., Maistruk, E. V., Parkhomenko, H. P., Marianchuk, P. D., Koziarskyi, I. P., & Koziarskyi, D. P. (2021). Electrical properties of heterostructures MnS/n-CdZnTe obtained by spray pyrolysis. Materials Research Express, 8(1)
91. Makhanets, O. M., Gutsul, V. I., Koziarskyi, I. P., & Kuchak, A. I. (2021). Spectral parameters of an exciton in double semiconductor quantum rings in an electric field. Journal of Nano- and Electronic Physics, 13(2), 02024-1-02024-6.
92. Orletskyi I. G., Ilashchuk M. I., Solovan M. M., Maistruk E. V., Koziarskyi I. P., Koziarskyi D. P., Mostovyi A. I., Ulyanytskiy K. S. Photosensitive Schottky diodes based on nanostructured thin films of graphitized carbon formed on Cd1-xZnxTe crystalline substrates. Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37, № 6. P. 065027. Print ISSN 0268-1242, Online ISSN 1361-6641
93. M. M. Solovan, A. I. Mostovyi, H. P. Parkhomenko, M. Kaikanov, N. Schopp, E. A. Asare, T. Kovaliuk, P. Veřtát, K. S. Ulyanytsky, D. V. Korbutyak, V. V. Brus, A High‐Detectivity, Fast‐Response, and Radiation‐Resistant TiN/CdZnTe Heterojunction Photodiode. Adv. Optical Mater. 2022, 2202028. ISSN: 2195-1071 (online)
94.

Патенти:
1. Брус В. В., Миронюк Д. В., Микитюк В.І. “Роторний вітродвигун” Патент на корисну модель №25604. Опубл. 10.08.2007, Бюл. № 12
2. Горлей П.М., Микитюк В.І,Шлемкевич В.В. “Біогазова установка” Патент на корисну модель , №20193. Опубл. 15.01.2007. Бюл. № 1.
3. Орлецький І.Г., Горлей П.М., Тимків О.М., Микитюк В.І. Генератор аерозолю хімічних розчинів для піролізу тонких плівок. Патент № 31056 (Україна). Дата реєстрації: 25.03.2008.
4. Брус В. В., Микитюк В.І. Роторний вітродвигун. Патент на корисну модель № 35691. Опубл. 25.09.2008. Бюл. № 18, 2008 р.
5. Ілащук М.І., Парфенюк О.А., Ульяницький К.С. Патент на корисну модель. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі СdTe. – 2010.
6. Пат. 54531 Україна МПК F21V14/00. Світлодіодний освітлювальний пристрій/ Девятков В.М., Мар’янчук П.Д., Микитюк В.І.: винахідники і власники: Девятков Валерій Миколайович, Мар’янчук Павло Дмитрович, Микитюк Василь Іванович заявлено 12.04.2010; опубл. 10.11.2010, Бюл.№21 – 4с.
7. Пат. 56654 Україна МПК С30В13/00. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу/ Андрущак Г.О., Мар’янчук П.Д.: власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 11.06.2010; опубл. 25.01.2011, Бюл.№2 – 4с.
8. Пат. 57157 Україна МПК Н01L33/26. Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура/Брус В.В., Ковалюк З.Д., Мар’янчук П.Д.: власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 30.07.2010; опубл. 10.02.2011, Бюл.№3 – 4с.
9. Пат. 60531 України МПК С30В 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу/Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 12.11.2010; опубл. 25.06.2011, Бюл.№12 – 4с.
10. Пат. 60532 України МПК С30В 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу/Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 12.11.2010; опубл. 25.06.2011, Бюл.№12 – 4с.
11. Пат. 62625 України МПК H01L 33/00 Сонячний елемент / Брус В.В., Ілащук М.І., Ковалюк З.Д., Мар’янчук П.Д., Ульяницький К.С. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 04.01.2011; опубл. 12.09.2011, Бюл.№17 – 4с.
12. Пат. 64288 України МПК С30В13/00 Спосіб отримання термоелектричного матеріалу Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено15.02.11 опубл. 10.11.2011, Бюл.№21 – 4с.
13. Патент 80759 України МПК H01L33/00 Гетерофотодіод / Солован М.М., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М.. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено17.12.12 опубл. 10.06.2013, Бюл. №11 – 4с.
14. Пат. 92085 Україна, МПК H01L 33/00. Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6 / Солован М.М., Майструк Е. В., Брус В. В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. – № u201402684, заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
15. Пат. 92083 України МПК C30B 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури / Козярський І.П., Козярський Д.П., Майструк Е. В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл.№14 – 4с.
16. Пат. 92084 Україна, МПК H01L 33/26. Фотодіод на основі гетероструктури / Мостовий А.І., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М.; заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
17. Пат. 94627 Україна, МПК H01L 33/00. Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок / Брус В. В., Мар’янчук П.Д.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 19.05.2014; опубл. 25.11.2014, Бюл. № 22– 4с.
18. Пат. 92086 Україна, МПК H01L 33/00. Фотоприймач n-TiN/р-CdTe / Солован М.М., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Ілащук М.І. Ульяницький К.С.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. – № u201402685, заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
19. Пат. 92087 Україна, МПК H01L 33/00. Спосіб виготовлення фоточутливих діодів шотткі на основі плівок графіту / Брус В.В., Мар’янчук П.Д.; власник Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
20. Пат. 103918 Україна, МПК H01L 33/00, Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4 (CZTS) / Солован М.М., Майструк Е.В., Мостовий А.І., Мар’янчук П.Д., Брус В.В., Ковалюк Т.Т., Козярський Д.П., Козярський І.П.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявлено 02.06.15 опубл. 12.01.2016, Бюл. №1 – 4с.
21. Пат. 116033 МПК H01L 31/073 Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe // Солован М.М., Мостовий А.І., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Ульяницький К.С., заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 03.10.2016; опуб. 05.2017, бюл. № 9– 5с
22. Пат. 116034 МПК C30B 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу // Майструк Е. В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. Заявлено 03.10.2016; опуб. 05.2017, бюл. № 9– 4с
23. Пат. 116079 МПК H01L 33/00 Спосіб одержання тонкої плівки // Мостовий А.І., Солован М.М., Майструк Е. В., Ковалюк Т.Т., Мар’янчук П.Д.заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 31.10.2016; опуб. 05.2017, бюл. № 9– 4с.
24. Патент на корисну модель 124902 Україна, МПК H01L 33/00 (2010.01). Фотодіод на основі гетероструктури p-NiO/n-CdTe / Пархоменко Г.П., Солован М.М., Мар’янчук П.Д.; заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. – № u201711289, заявл. 20.11.2017; опубл. 25.04.2018, Бюл. №8.
25. Пат. 134193U МПК G01N 15/08 Спосіб визначення активної площі наноструктурованих поверхнево-бар’єрних гетероструктур  // Солован М.М., Мостовий А.І., Брус В. В., Мар’янчук П.Д. заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 16.11.2018; опуб. 10.05.2019, бюл. № 9 – 4с.
26. Пат. 143316 u202000028 МПК H01L 33/00 ФОТОДІОД НА ОСНОВІ p-Cd3In2Te6 // Майструк Е.В., Солован М.М., Козярський І.П., Козярський Д.П., Мар’янчук П.Д. заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 02.01.2020; опуб. 27.07.2020, бюл. № 14.
27. Спосіб отримання кристалів напівпровідникової сполуки PbI2 : пат. 152048 Україна : МПК С30В 13/00. № u 2022 01061 ; заявл. 30.03.2022 ; опубл. 19.10.2022, Бюл. № 42. Майструк Е. В., Козярський І. П., Козярський Д. П., Ульяницький К. С.

 

Ми використовуємо власні та сторонні файли cookies та localStorage для аналізу веб-трафіку та поширення матеріалів. Налаштування конфіденційності