Перейти до основного вмісту
Грушка Олена Григорівна
кандидат фіз.-мат. наук
асистент кафедри електроніки і енергетики

Scopus

ORCID

WoS

У 2000 р. закінчила Чернівецький національний університет імені Юрія
Федьковича (спеціальність “Фізика”). Диплом магістра фізики (з відзнакою).
З 2000 р. по 2003 р. навчалася в аспірантурі (спеціальність – 01.04.10 –
«Фізика напівпровідників і діелектриків») на кафедрі електроніки і
енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія
Федьковича.
В 2003 році захистила кандидатську дисертацію на здобуття наукового
ступеня кандидата фізико-математичних наук на тему “Вплив
стехіометричних вакансій на електричні і оптичні властивості кристалів
Hg 3 In 2 Te 6 ”.
З 2003 року по 2021 рік працює на посаді асистента кафедри електроніки
і енергетики.
Опублікувала понад 30 наукових та навчально-методичних праць.

1. Gorley P.M. , Grushka Z.M., Grushka O.G., Zabolotsky I.I. Electrical
properties n-SnS 2 /n-CdIn 2 Te 4 heterostructure // Semiconductor Physics.
Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2010, V.13, № 4, P. 444-447.
https://drive.google.com/file/d/1FlJsGvN6ijx5oYObVbF2Nx7E-
Vc5RYYP/view?usp=share_link
2. Грушка О.Г., Чупыра С.М., Мыслюк О.М., Биличук С.В., Заболоцкий
И.И. Проводимость кристаллов Hg 3 In 2 Te 6 в сильных электрических
полях // ФТП. – 2011. Т.45, вып. 1. – С.50-52.
https://drive.google.com/file/d/18CTe9RqEc1M8x4CoBhW4GhQdSrMraBig/view
?usp=share_link
3. Грушка О.Г., Маслюк В.Т., Чупыра С.М., Мыслюк О.М., Биличук С.В.,
Заболоцкий И.И. Влияние облучения электронами на
электрофизические параметры Hg 3 In 2 Te 6 // ФТП. – 2012. Т.46, вып. 3. –
С.327-329.
https://drive.google.com/file/d/1XZRvnhTlTRqq-
3xsVyE837cUHDnHFjG5/view?usp=share_link
4. Грушка О.Г., Чупыра С.М., Мыслюк О.М., Биличук С.В., Козярский
Д.П. Электрические и оптические свойства кристаллов Hg 3 In 2 Te 6 ,
легированных марганцем // ФТП. – 2013. Т.47, вып. 9. – С.1153-1156.

https://drive.google.com/file/d/1CP1iRLyoJHtjdLAa1KDeoNbv9KJIpL4d/view?us
p=share_link
5. Грушка О. Г., Савчук А.И., Чупыра С. М. , Мыслюк О. М. ,
Биличук С. В. , Шлемкевич В. В.  Влияние отклонений
от стехиометрии на электрические и фотоэлектрические свойства
соединения Hg 3 In 2 Te 6 // ФТП. – 2014. – Т. 48, вып.10. – С.1307-1310.
https://drive.google.com/file/d/1R1CZS-
AhWxI6umdpAyzkqcsvlzjFzF8m/view?usp=share_link
6. Grushka O.G., Savchuk A.I., Chupyra S.N., Bilichuk S.V.
Behavior of the Fe impurity in Hg 3 In 2 Te 6 crystals. Semiconductors 49 (7),
(2015), Р.892-894.
https://drive.google.com/file/d/1Yl-
DYfK4KNLNkoQMoY3MwwjSDuvwMcs6/view?usp=share_link
7. Grushka O.G. Anomalous thermoelectric power in Hg 3 In 2 Te 6 crystals.
Semiconductors 50 (6), (2016), Р.735-737.
https://drive.google.com/file/d/1OVqldhqL-
fSXjzL0LEWCYwtStb2zMP1l/view?usp=share_link
8. Chupyra S.M., O.G. Grushka, Bilichuk S.V. Impurity levels in Hg 3 In 2 Te 6
crystals. Semiconductors 51 (8), (2017), Р.1041-1043.
https://drive.google.com/file/d/1n4gxf-kw2NfVXsdL4_MwD_EAI3KYSj-
k/view?usp=share_link
9. Grushka O.G., Chupyra S.M., Bilichuk S.V., Parfenyuk O.A. Electronic
Processes in CdIn 2 Te 4 Crystals. Semiconductors 52 (8), (2018), Р.735-737.
https://drive.google.com/file/d/1UJ_mQMhgBwtHerstNXQiEKZcImpCeJAn/view
?usp=share_link

1. Грушка О. Г., Горлей П. М., Бахтінов А. П., Фрасуняк В. М. Вплив
домішки заліза на властивості Hg 3 In 2 Te 6 // Укр. фіз. ж. -2001. –Т. 46,
№3. –С 365-367.
http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/index.php?lang=en&item=s&vt=Grushka
2. Горлей П. М., Грушка О. Г., Фрасуняк В. М. Електричні властивості
кристалів Hg 3 In 2 Te 6 , легованих гадолінієм // Укр. фіз. журн. -2002.
–Т. 47, № 6. –С. 564-567.
http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/index.php?lang=en&item=s&vt=Grushka
3. Gorley P. M., Grushka O. G., Grushka Z. M. Influence of the potential
fluctuations on the conduction of In 2 Te 3 and Hg 3 In 2 Te 6 compounds //
Journal of physical studies. -2002. –V. 6, № 1. –P. 83-85.
https://drive.google.com/file/d/1TNp-dp2tiTMXZvPhjawxcUsVscv-
j603/view?usp=share_link

4. Горлей П. М., Грушка О. Г., Воробець О.І., Грушка З.М.
Температурна залежність концентрації носіїв у кристалах CdIn 2 Te 4 //
Укр. фіз. журн. -2006. –Т.51, №5. – С.475-477.
https://drive.google.com/file/d/1dEsFRl2wPKe_X2ujLeXASoMHHXRGUObv/vie
w?usp=share_link
5. Gorley P.M., Prokopenko I.V., Grushka Z.M., Makhniy V.P., Grushka
O.G., Chervinsky O.A. Direct current transport mechanisms in n-InSe/p-
CdTe heterostructure // Semiconductor Physics. Quantum Electronics
and Optoelectronics. – 2008, V.11, № 2, P. 124-131.
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118856
6. P.M. Gorley, Z.M. Grushka, O.G. Grushka, P.P. Gorley, I.I. Zabolotsky.
Electrical properties of n-SnS 2 /n-CdIn 2 Te 4 heterostructure //
Semiconductor Physics. Quantum Electronics and Optoelectronics. –
2010, V.13, №4, Р. 444-447.
https://drive.google.com/file/d/1FlJsGvN6ijx5oYObVbF2Nx7E-
Vc5RYYP/view?usp=share_link
7. O.G. Grushka, S.M. Chupyra, V.T. Maslyuk, O.M. Myslyuk, O. M.
Slyotov. The influence of γ-irradiation on electrical properties of
CdIn 2 Te 4 crystals. Telecommunications and Radio Engineering 78 (11),
(2019), P. 1027-1032.
https://www.dl.begellhouse.com/en/journals/0632a9d54950b268,3b40033676b889
71,608e82864cda932b.html?sgstd=1
8. Grushka O.G., Chupyra S. M., Myslyuk O.M., Slyotov O.M. The barrier
capacitance of n-SnS 2 /n-CdIn 2 Te 4 heterojunction. Physics and chemistry
of solid state, 23(3), (2022), P. 450-453.
https://drive.google.com/file/d/1S8g5DsbEaL3ZXlb4o8QK_WENKwAtkQeN/vie
w?usp=share_link

З 08.01.2020 по 28.01.2020 пройшла стажування у Чернівецькому
національному університет імені Юрія Федьковича, сертифікат від 04.02.2020
Тема: Основи користування Moodle
З 01.10.2018 по 31.12.2018 та з 01.03.2019 по 30.05.2019 пройшла стажування
у Лінгвістичному центрі Чернівецького національного університету імені
Юрія Федьковича, сертифікат № К-00119, 31.05.2019 (рівень володіння
англійською мовою відповідає В2) Тема: Курс вивчення англійської мови
загального спрямування
https://drive.google.com/drive/folders/1SWQWZgI1yFmVz81o_Am0k6A5rDRB7
fgl

Ми використовуємо власні та сторонні файли cookies та localStorage для аналізу веб-трафіку та поширення матеріалів. Налаштування конфіденційності